LEEM-8 Magnetoresistief effect Experimenteel apparaat
Opmerking: oscilloscoop niet inbegrepen
Het apparaat is eenvoudig van structuur en rijk aan inhoud. Het gebruikt twee soorten sensoren: GaAs Hall-sensor om de magnetische inductie-intensiteit te meten en om de weerstand van de InSb-magnetoweerstandssensor onder verschillende magnetische inductie-intensiteit te bestuderen. Studenten kunnen het Hall-effect en magnetoweerstandseffect van halfgeleider observeren, die worden gekenmerkt door onderzoek en ontwerpexperimenten.
Experimenten
1. Bestudeer de weerstandsverandering van een InSb-sensor versus de toegepaste magnetische veldintensiteit; vind de empirische formule.
2. Zet de weerstand van de InSb-sensor uit tegen de intensiteit van het magnetische veld.
3. Bestudeer de AC-karakteristieken van een InSb-sensor onder een zwak magnetisch veld (frequentieverdubbelingseffect).
Specificaties
Omschrijving | Specificaties |
Voeding van magnetoweerstandssensor | 0-3 mA instelbaar |
Digitale voltmeter | bereik 0-1.999 V resolutie 1 mV |
Digitale milli-Teslameter | bereik 0-199,9 mT, resolutie 0,1 mT |